在现代半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）技术是至关重要的一步，它决定了晶圆表面平坦度和抛光质量，能够实现晶圆表面微米、纳米级不同材料的去除，对提高半导体制造效率和产品质量至关重要。
近日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准启动会成功召开。
会议由国促会标委会标准部李千均主持，标准起草组副组长、标准部副主任曹东建，标准部郭佳宇出席会议。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、浙江芯晖装备技术有限公司、河北工业大学、成都泰美克晶体技术有限公司、兴华清科（上海）电子材料有限公司、上海芯谦集成电路有限公司、芯越微电子材料（嘉兴）有限公司、万华化学集团电子材料有限公司、广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院、通标中研标准化技术研究院等单位代表及相关行业专家参加本次启动会。
会上，李千均就国促会成立以来的发展情况以及工作内容进行详细介绍，郭佳宇对《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准的立项背景、编制情况、编制原则与框架、标准工作计划进行汇报，得到了参会代表的一致认可。
在标准讨论环节，行业专家和参编单位代表围绕《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准的范围、规范性引用文件、术语和定义、产品分类、试验方法、检验规则等内容进行积极研讨，规范半导体芯片制造过程中，半导体CMP抛光材料技术对晶圆表面平坦化的技术要求，提高CMP抛光材料核心工艺，以确保相关材料符合下游客户的应用及生产标准，助推半导体行业打破上游关键材料CMP抛光材料领域“卡脖子”难题，不断提高研发技术水平，推动我国半导体材料国产化进程。
会议最后，曹东建副主任对本次会议进行总结发言。他表示，随着国内半导体产业的快速发展和芯片制程的不断缩小，晶圆表面的平整度要求越来越高。为此，国内企业需不断研发新型CMP抛光材料和技术，提高产品性能和质量。《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准制定的目的在于助力晶圆表面实现平坦化，满足晶圆加工过程中各道工序的标准要求，为半导体CMP抛光材料的技术规范制定和产业发展提供有力支撑，进一步推动我国半导体材料产业技术创新和标准化工作快速发展。
随着国内半导体制程技术的持续进步，对抛光材料的需求进一步增长，直接推动了对CMP技术的自主研发能力。因此，加强国内CMP抛光材料技术创新和标准化发展，对确保半导体材料供应链的稳定性和推动国内半导体产业可持续发展具有实质性意义，可更好地适应新材料、新结构和新工艺，以实现更加精密高效的生产要求。