半导体溅射靶材市场是全球电子供应链的重要组成部分，受半导体技术快速发展的推动，溅射靶材对于在集成电路和存储芯片中使用的半导体晶圆上沉积薄膜至关重要。特别是随着半导体芯片集成度的提高和芯片尺寸的不断缩小，各行各业都对高纯溅射靶材提出了新的技术挑战。
近日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《半导体用高纯溅射靶材》团体标准审查会成功召开。
会议由国促会标委会标准部刘世纪主持，标准起草组副组长、标准部副主任顾中豪，标准部吕常松出席会议。上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司、北京有色金属与稀土应用研究所有限公司、芜湖映日科技股份有限公司、宝鸡市亨信稀有金属有限公司、江苏迪纳科精细材料股份有限公司、安徽尚欣晶工新材料科技有限公司、安泰天龙钨钼科技有限公司、中铜华中铜业有限公司、深圳众诚达应用材料股份有限公司、通标中研标准化技术研究院等单位代表及相关行业专家参加本次审查会。
会上，刘世纪介绍了国促会成立以来的发展情况以及工作内容，吕常松对《半导体用高纯溅射靶材》标准的立项背景、编制情况、编制原则与框架、主要技术内容等向专家组和参编单位进行了详细汇报。总结了我国溅射靶材关键技术方面存在问题，提出了半导体用高纯溅射靶材产业的重点发展方向，希望能够以此提升高纯溅射靶材的发展质量和水平，推动行业标准化与科技创新互动发展。
在标准讨论环节，行业专家和参编单位代表围绕《半导体用高纯溅射靶材》团体标准的范围、规范性引用文件、术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则等内容进行全面审查，认为该标准以行业现有相关技术指标和要求为基础，以综合性、系统性为原则，对高纯溅射靶材的关键技术提出了更高的要求，规范了高纯溅射靶材在密度、晶粒尺寸、焊接结合率、尺寸精度、表面质量等方面的各项要求，使高纯溅射靶材技术性能得到了进一步提升。专家组表示，受益于国家支持及自身成长，突破关键制备技术并形成高纯溅射靶材研发制造体系和标准化体系，有助于在产品性能方面逐步缩小与世界水平的差距，实现自主可控，为高纯溅射靶材的科技进步、行业升级以及相应材料基础研究提供参考。
会议最后，顾中豪副主任对本次会议进行总结发言。他表示，随着半导体制造业的发展，对高性能材料的需求不断增长，尤其是消费电子、汽车电子以及 5G 和人工智能等新兴技术领域对高效芯片的需求，更进一步推动了半导体用高纯溅射靶材的市场潜力。本次审查的《半导体用高纯溅射靶材》团体标准内容完整、规范，符合国家相关法律法规和强制性标准的有关规定，有助于提升高纯溅射靶材的核心技术指标，赋能半导体产业从技术提升、行业规范、产业布局等方面高质量发展。
靶材作为半导体领域的关键核心材料，属于国家重点鼓励、扶持的战略性新兴行业。近年来，为鼓励国内靶材行业发展、加快核心材料的国产替代进程，我国出台了《“十四五”原材料工业发展规划》《原材料工业“三品”实施方案》等一系列政策措施，行业前景十分广阔。期待《半导体用高纯溅射靶材》团体标准的发布及实施，能够为靶材行业生产、贸易、质量检测等方面提供标准参考，提升我国高纯溅射靶材在全球的市场占有率，实现国内靶材生产技术新突破。