9月11日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《硅基水平堆叠纳米环栅器件制造工艺规范》团体标准启动会顺利召开。会议由国促会标委会标准部李千均主持，相关参编单位代表、行业专家参会，标准起草组副组长、标准部副主任徐嘉琳及标准部曹东建出席会议，业内多家企业、高校共同参与标准讨论。
会上，李千均就国促会成立以来的发展情况以及工作内容进行详细介绍；曹东建对《硅基水平堆叠纳米环栅器件制造工艺规范》团体标准的立项背景、编制情况、编制原则与框架、标准工作计划进行汇报说明。行业专家和参编单位代表围绕该团体标准的范围、规范性引用文件、术语和定义、总体工艺流程、工艺步骤等内容进行积极研讨，明确硅基水平堆叠纳米环栅器件的设计、材料、工艺流程、设备参数、检测方法等，旨在统一相关工艺规范，提升产品质量和产能，确保标准兼顾技术先进性与产业可操作性，为集成电路产业突破“卡脖子”环节提供标准化支撑。会议内容得到参会代表一致通过。
会议最后，徐嘉琳副主任对本次会议进行总结发言。她表示，硅基水平堆叠纳米环栅器件的制造工艺是3纳米及以下技术节点集成电路技术的核心方向，旨在解决传统鳍型晶体管在短沟道控制、漏电流抑制等方面的性能瓶颈，进一步推动半导体产业发展。为贯彻落实国家相关政策，国促会标委会在前期充分调研论证的基础上立项编制《硅基水平堆叠纳米环栅器件制造工艺规范》这项标准，也是希望通过填补标准空白、推动技术创新、增强市场信任，为产品提供可靠的合规路径和质量背书，助力国内企业在3纳米以下制程竞争中实现“弯道超车”，提升我国在半导体产业的话语权。