在半导体制造过程中，化学机械抛光（CMP）是一项至关重要的技术，它的出现和发展使得制造更小、更复杂的芯片成为可能。这种技术不仅能够去除表面多余的材料，还可以实现高平坦度和低表面粗糙度，对制造高性能半导体器件至关重要，能够实现表面的全局平坦化，为后续制造工艺提供可靠的基础。
近日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准审查会成功召开。
会议由国促会标委会标准部李千钧主持，标准起草组副组长、标准部副主任曹东建，标准部刘莉慧出席会议。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、浙江芯晖装备技术有限公司、河北工业大学、成都泰美克晶体技术有限公司、兴华清科（上海）电子材料有限公司、上海芯谦集成电路有限公司、通标中研标准化技术研究院等单位代表及相关行业专家参加本次审查会。
会上，李千钧介绍了国促会成立以来的发展情况以及工作内容，刘莉慧对《半导体CMP抛光材料技术规范》标准的立项背景、编制情况、编制原则与框架、主要技术内容等向专家组和参编单位进行了详细汇报。深入分析CMP抛光材料的工艺一致性、可靠性等，使其能够提高晶片表面质量和加工效率，满足制造工艺不断升级和半导体行业快速发展的市场需求。
在标准讨论环节，行业专家和参编单位代表围绕《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准的范围、规范性引用文件、术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法等内容进行全面审查，认为该标准以行业现有相关技术指标和要求为基础，以综合性、系统性为原则，建立了完善的CMP抛光材料相关技术标准，可满足不同类型集成电路生产对CMP工艺的不同需求，是提升CMP技术的重要参考。专家组表示，相较于传统的机械抛光方法，CMP技术不仅能够实现硅片表面的更高平整度，还具有较低的生产成本和简便的操作流程，已发展成目前半导体材料表面平整处理的主流技术，为半导体行业带来了新的市场机遇与挑战。
会议最后，曹东建副主任对本次会议进行总结发言。他表示，2021年3月，国务院印发《中国制造2025》，政府设立了专项资金支持半导体材料领域创新项目，同时还为半导体材料企业提供了税收减免、融资支持等优惠政策。这些政策的实施，为半导体CMP抛光材料技术规范制定和产业发展提供了有力支撑。国促会标委会编制该标准，也是希望能够助力行业提高CMP抛光材料的技术要求，使其找到合适配方、稳定制作工艺，获得较好的抛光速率和抛光效果。
作为晶圆制造的关键制程工艺之一，CMP贯穿晶圆加工的整个工艺流程，为满足更细致的晶圆制程，CMP抛光材料技术在集成电路制造过程中循环反复出现，是实现晶圆表面平坦化的关键技术。随着国内半导体市场不断增长和国家政策对半导体、集成电路产业的支持，CMP抛光材料技术的国产替代将成为行业发展的关键课题。因此，《半导体CMP抛光材料技术规范》团体标准的发布及实施，将有助于加强国内抛光材料研发和技术升级，对确保半导体材料供应链的稳定性和推动国内半导体产业的长期发展具有实质性意义。